Силовая электроника
Очистка дискретных элементов на выводных рамках

Очистка дискретных элементов на выводных рамках

При производстве полупроводниковых приборов в дискретном исполнении, таких как MOSFET, IGBT и SOT, посадка кристалла на основание осуществляется при помощи пайки. При разварке кристалла все большее применение находит частично пришедшая на смену проволочным соединениям так называемая технология «Clip Bonding», где соединение между кристаллом и основанием осуществляется медными скобами в результате пайки при помощи паяльной пасты. Пайка в этих случаях осуществляется, в основном, с применением свинцовосодержащих припоев и при более высоких пиковых температурах. К процессу отмывки в таких случаях предъявляют более повышенные требования:

  • Полное удаление остатков флюса после процесса пайки
  • Удаление всех неорганических образований и активация (медной) поверхности
  • Совместимость промывочной жидкости со всеми конструкционными материалами

Отмывочные жидкости на водной основе, а также на основе растворителей, специально разработанные компанией ZESTRON для отмывки дискретных элементов, смонтированных на выводных рамках, обладают высокой чистящей способностью. Их применение позволяет наилучшим способом подготовить поверхность кристалла и подложки для последующих операций микросварки и герметизации.

Контакты:

Тел.: +49 (841) 635-156

techsupport(at)zestron.com

Отмывочные жидкости для очистки дискретных элементов на выводных рамках

Технология MPC®:

На основе растворителей:

Полезная информация: