Очистка дискретных элементов на выводных рамках

При производстве полупроводниковых приборов в дискретном исполнении, таких как MOSFET, IGBT и SOT, посадка кристалла на основание осуществляется при помощи пайки. При разварке кристалла все большее применение находит частично пришедшая на смену проволочным соединениям так называемая технология «Clip Bonding», где соединение между кристаллом и основанием осуществляется медными скобами в результате пайки при помощи паяльной пасты. Пайка в этих случаях осуществляется, в основном, с применением свинцовосодержащих припоев и при более высоких пиковых температурах. К процессу отмывки в таких случаях предъявляют более повышенные требования:

• Полное удаление остатков флюса после процесса пайки
• Удаление всех неорганических образований и активация (медной) поверхности
• Совместимость промывочной жидкости со всеми конструкционными материалами